Asemiconductorphotodiodewhichfunctionsinawideband range uptomediumwaveinfraredandfarwavelengthsin addition tovisibleregionandnearinfraredincludes:alight absorber regioninmicrostructurewhichcanprovidelight absorbance uponbeingroughenedbylaser;afirstelectrical lower contactcoatedwithmetalmaterialssuchasalu- minium (Al),silver(Ag);asiliconwhichconsistsofcrys- talline silicon(c-Si);asecondelectricallowercontactwhich is coatedwithmetalmaterialssuchasaluminium(Al),silver (Ag); achalcogendopedhyper-filledsiliconeregionwhich is obtainedasaresultofdopingbypulselasertothesilicone region implantedbychalcogenelements;andupperelectri- cal contactpartswhicharecoatedgenerallyinthethickness range of10nm-1000nmbyusingtwo-layeredalloyswith aluminium (Al)—(Al)-silver(Ag),two-layeredalloyswith titanium (Ti)-gold(Au),three-layeredalloyswithTi-Plati- num(Pt)—Au—Ag orthree-layeredalloyswithTi-lead (Pb)—Ag.
Bulus görünür bölge ve yakın kızılötesinin yanı sıra orta dalga kızılötesi ve uzak dalga boylarına kadar genis bir bant aralıgında çalısan ve siyah silisyumun (silikonun) kalkojen grubu elementleri (S(sülfür), Se(selenyum) ve Te(tellür)) ile katkılanmıs halini içeren bir yarıiletken fotodiyot (fotodedektör) ve elde etme yöntemi ile ilgilidir.
Mevcut buluş güneş enerjisi toplayıcılar için bir dalga klavuzu ve konsantre güneş enerjisi üretimi için kullanılmak üzere bu türde bir dalga klavuzu kullanan güneş enerji toplayıcısı hakkındadır. Bu buluş kapsamında, yönlendirici yüzeyler dizilimi olan bir dalga kalavuzu geliştirilmiştir. Bu yöntemle, dalga klavuzu ve yönlendirici yüzeyler dizilimi, gelen ışık yönüne paralel olmayan bir düzleme yerleştirilir.